RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Пахомов Алексей Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Термоионизация глубоких центров вблизи интерфейса

    Физика твердого тела, 34:11 (1992),  3417–3420
  2. Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  817–819
  3. Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  730–734
  4. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1489–1516
  5. Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  182–192
  6. Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  135–148
  7. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках

    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  211–217
  8. Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов

    Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2232–2234
  9. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры

    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1793–1802
  10. Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны

    Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2127–2134
  11. Туннелирование с глубоких примесных центров в электрическом поле в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1868–1870


© МИАН, 2024