|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Термоионизация глубоких центров вблизи интерфейса
Физика твердого тела, 34:11 (1992), 3417–3420
-
Об идентификации симметрии глубокого уровня по спектральной зависимости сечения фотоионизации
Физика твердого тела, 33:3 (1991), 817–819
-
Влияние заряда глубокого центра на оптические переходы в валентную зону II. Сравнение с экспериментом
Физика твердого тела, 33:3 (1991), 730–734
-
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации
и рекомбинационно-стимулированные явления в полупроводниках (обзор)
Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991), 1489–1516
-
Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону
Физика твердого тела, 31:11 (1989), 182–192
-
Разогрев локальных колебаний при безызлучательной рекомбинации
Физика твердого тела, 31:11 (1989), 135–148
-
Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках
Физика твердого тела, 31:3 (1989), 211–217
-
Новый «электронный» механизм энергетической релаксации
локальных колебаний сильно возбужденных дефектов
Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989), 2232–2234
-
Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры
Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1793–1802
-
Электропоглощение света глубокими примесными центрами в полупроводниках со сложной структурой валентной зоны
Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2127–2134
-
Туннелирование с глубоких примесных центров в электрическом поле
в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1868–1870
© , 2024