Зотова Н В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Переход от гетороструктур первого типа к гетероструктурам второго типа в системе InAs/InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  738–741
2. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
3. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
4. Край поглощения варизонных эпитаксиальных слоев InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (${x\leqslant0.54}$)
   
   Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  76–80
5. Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  592–596
6. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
7. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs
   
   Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
8. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
9. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$
   
   Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
10. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
11. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
12. Особенности люминесценции пластически деформированных гетероструктур InAsSbP/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2031–2035
13. Поляризация люминесценции эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1795–1798
14. Структура металл–полупроводник на основе $p$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  991–996
15. Длинноволновые неохлаждаемые светодиоды на основе твердых растворов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$
    
    Письма в ЖТФ, 9:7 (1983),  391–395