Карандашев С А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Об использовании арсенида индия в качестве материала волновода при измерениях методом нарушенного полного внутреннего отражения
   
   Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1193–1197
2. Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия (обзор: десять лет спустя)
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  147–157
3. Фотодиоды на основе InAsSbP для длин волн 2.6–2.8 $\mu$m
   
   ЖТФ, 88:2 (2018),  234–237
4. Пространственное перераспределение излучения во флип-чип фотодиодах на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  269–275
5. Фотодиодная линейка 1 $\times$ 64 на основе двойной гетeроструктуры $p$-InAsSbP/$n$-InAs$_{0.92}$Sb$_{0.08}$/$n^{+}$-InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  657–662
6. Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsSbP/InAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  246–256
7. Светодиоды на основе InAsSbP для анализа окислов углерода
   
   Письма в ЖТФ, 17:23 (1991),  75–79
8. Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых растворов InAsSbP и InGaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  592–596
9. Низкопороговые лазеры $3{-}3.5$ мкм на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  49–52
10. Стимулированное излучение (3$-$3.3 мкм, 77 K) при инжекции тока в пластически деформированных ДГС InAsSbP/InAs
    
    Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1617–1621
11. Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и $p{-}n$-структур на основе In$_{1-x}$Ga$_{x}$As (${0 < x < 0.23}$)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1079–1084
12. Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  563–565
13. Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  329–331
14. Когерентное излучение 3.9 мкм в Р-Н структурах на основе $Jn\,As\,Sb\,P$
    
    Письма в ЖТФ, 12:23 (1986),  1444–1447
15. Структура металл–полупроводник на основе $p$-InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  991–996