Бахышов Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование полосы поглощения в области 0.52 эВ в твердом растворе $n$-Ge$_{1-x}$Si$_{x}$, облученном быстрыми электронами при температуре 77 K
   
   Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2235–2237
2. Правило Урбаха и фазовые превращения в $\beta$-TlInS$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 28:7 (1986),  2243–2246
3. Фазовые переходы в TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$
   
   Физика твердого тела, 27:12 (1985),  3699–3701
4. Влияние гидростатического давления на край фундаментального поглощения TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$
   
   Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1704–1706
5. Аномалия температурного поведения электронных спектров TlInS$_{2}$ вблизи края их фундаментального поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1307–1309