Свелокузов А Е

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оже-рекомбинация и разогрев носителей при высоком уровне фотовозбуждения квантово-размерных гетероструктур InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм) и InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.85}$ мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  657–663
2. Фотолюминесцентные исследования InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1217–1222
3. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  437–441
4. Исследование анизотропии движения электронов в плазме емкостного высокочастотного разряда низкого давления
   
   ЖТФ, 56:6 (1986),  1091–1099
5. Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211
6. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712
7. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)
   
   Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162