Волле Владимир Михайлович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. К вопросу о проведении прямого сращивания кремния в условиях необеспыленной воздушной среды
   
   Письма в ЖТФ, 16:17 (1990),  61–65
2. Прямая ВАХ диодов, полученных методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  6–9
3. Формирование $p{-}n$ переходов методом прямого сращивания кремниевых пластин (ПСК)
   
   Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  59–63
4. Пассивирующие свойства оксидов кремния, нанесенных на поверхность кремниевых высоковольтных $p{-}n$ переходов методом катодно-реактивного распыления
   
   ЖТФ, 58:1 (1988),  132–135
5. Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ
   
   Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975
6. Оптимизация частотных и статических характеристик силовых полупроводниковых приборов путем создания локальных зон повышенной рекомбинации в базовых областях
   
   ЖТФ, 57:10 (1987),  1925–1929
7. О возможности изготовления низкоомного нейтронно-легированного кремния на реакторе РБМК-1000
   
   ЖТФ, 57:6 (1987),  1127–1129
8. Нейтронно-легированный высокоомный кремний (НЛК) Получение, свойства
   
   ЖТФ, 56:6 (1986),  1174–1179
9. Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125
10. Сильноточный микросекундный тиристорный коммутатор, переключаемый импульсом света
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1570–1575
11. Возможности повышения термостабильности монокристаллического кремния для мощных полупроводниковых приборов
    
    ЖТФ, 54:5 (1984),  917–928
12. Термостабильность кремния, легированного примесями РЗЭ при выращивании методом Чохральского
    
    ЖТФ, 54:1 (1984),  207–208
13. Супервысоковольтные $p{-}n$ переходы на основе нейтронно-легированного кремния, содержащего редкоземельные элементы
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  880–882