|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
О миграции индия в CdHgTe после воздействия импульсным магнитным полем
Физика твердого тела, 34:10 (1992), 3264–3265
-
Влияние условий измерений на аномальный эффект Холла в $p$-InAs
Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1999–2002
-
Рекомбинационные процессы в радиационно облученных фоточувствительных
структурах на основе селенида галлия
Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 152–155
-
Рекомбинация в Si после термообработки и $\gamma$-облучения
Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2082–2084
-
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики
$p{-}n$-переходов, изготовленных имплантацией бериллия
в GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1901–1904
-
Электрофизические свойства антимонида индия $n$-типа, облученного
быстрыми электронами
Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1787–1790
-
Температурная зависимость спектров фотолюминесценции монокристаллов
GaSe, облученных $\gamma$-квантами
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 613–618
-
О диффузионном характере радиационной деградации фотопроводящих
пленок сернистого свинца
Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2088–2091
-
Механизмы миграции компонентов и примесей в Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te
Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3233–3239
-
Диффузия компонентов и примесей в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x=0.2}$)
Физика твердого тела, 26:10 (1984), 2960–2967
-
Позитронная аннигиляция в облученных кристаллах
CdHgTe
Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 1970–1974
-
Электрические свойства поликристаллических пленок Bi$_{2-x}$Sb$_x$Te$_3$
при $\gamma$-облучении
Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1095–1098
-
Механизм миграции индия в Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te
Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2662–2666
-
Магнитная восприимчивость кремния, легированного гадолинием
Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983), 1490–1492
© , 2024