|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Люминесценция кристаллов ZnSe$\langle$Al$\rangle$ : Yb при 4.2 K
Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 329–331
-
Оптоэлектронные свойства селенида цинка, легированного индием
Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992), 1140–1141
-
Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов
сульфид$-$теллурид кадмия
Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991), 217–221
-
Полупроводниковый излучатель с повышенной температурной стабильностью
Письма в ЖТФ, 17:3 (1991), 17–21
-
«Солнечно-слепой» фотодиод на основе гетероструктуры
ITO$-$ZnS
ЖТФ, 60:9 (1990), 146–147
-
Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из
измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1852–1855
-
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах
Au$-$ZnS
Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1651–1656
-
Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры
селенид$-$теллурид цинка
Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 702–705
-
Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки
Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2087–2090
-
Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области
объемного заряда Au$-$ZnS-диодов
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 619–624
-
Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1285–1287
© , 2024