Герасимов А Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  920–922
2. О зависимости температуры отжига дефектов атом примеси–вакансия от типа примеси
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  1980–1983
3. Влияние энергии связи атомов с решеткой на кинетику отжига радиационных дефектов в германии $p$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  794–798
4. О механизме влияния типа и концентрации примесей на кинетику отжига в облученном германии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  641–644
5. Расчет мелких и глубоких примесных состояний в Ge и Si с помощью вариационного метода Фейнмана
   
   Физика твердого тела, 25:3 (1983),  746–750