Скрышевский В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной чувствительности
   
   Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2034–2037
2. Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок аморфного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  334–336
3. Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1886–1888
4. Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П структурах при инфракрасной подсветке
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  413–417
5. К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1867–1870
6. Эффекты неаддитивности возбуждения фототока в контакте металл–гидрогенизированный аморфный кремний
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  661–664
7. О внутреннем квантовом выходе примесной фотопроводимости в полуизолирующем арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  172–174
8. Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1446–1449
9. Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными границами зерен
   
   Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  881–884