Антонишкис Н Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034
2. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)
   
   Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
3. Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.86}$ мкм, ${I_{\text{п}}=90\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=\infty}$; ${I_{\text{п}}=165\,\text{А/см}^{2}}$, ${L=1150}$ мкм, ${T=300}$ K)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1501–1503
4. Квантово-размерные эффекты в жидкофазных InGaAsP/GaAs-гетероструктурах с толщиной активной области от 40 до 300 Å
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  178–181
5. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (${\lambda=0.79}$ мкм, ${I_{\text{п}}=124\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
   
   Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  162–164
6. Фотолюминесценция InGaAsP/GaAs квантово-размерных гетероструктур, полученных методом жидкостной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2145–2149
7. Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации в гетероструктурах в системах Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  708–712