Полянская Татьяна Александровна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Квантовые когерентные эффекты в германии, легированном мышьяком
   
   Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1109–1115
2. Электрофизические параметры слоев GaAs, выращенных ЖФЭ из растворов$-$расплавов в галлии и висмуте при различных потоках водорода
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1758–1764
3. Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент
   
   Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  3–32
4. Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2162–2164
5. Получение гетероструктур с двумерным электронным газом методом стандартной жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1948–1954
6. Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1818–1826
7. Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  604–608
8. Слабая локализация и спин-орбитальное взаимодействие в твердом растворе GaAs$_{0.94}$Sb$_{0.06}$ $p$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  381–385
9. Высота барьера Шоттки Au$-$GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  93–96
10. Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  35–43
11. Квантовые поправки к проводимости и разогрев двумерного электронного газа на гетерогранице AlGaAs/GaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2096–2099
12. Вольтамперные характеристики структур AuGaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$/GaAs в свете флуктуационной теории термополевой эмиссии в барьерах Шоттки
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1737–1744
13. О возможности определения коэффициента анизотропии подвижности на неориентированных образцах кубических полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  713–719
14. Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2004–2007
15. Соотношения симметрии для квантовой магнитопроводимости в кубических кристаллах
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1452–1459
16. Гальваномагнитные эффекты в гетероструктурах $N$-Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/GaAs при высоком уровне легирования
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1199–1203
17. Двумерный электронный газ в модулированно-легированных структурах GaAs/GaAlAs, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  164–167
18. Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1999–2005
19. Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1237–1241
20. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1230–1232
21. О температурной зависимости времени релаксации фазы волновой функции в германии, легированном сурьмой
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  156–159
22. Время релаксации фазы волновой функции в двумерном электронном газе Si-МДП структур
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2230–2232
23. Зависимость отрицательного магнитосопротивления от концентрации примеси в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1081–1086
24. К вопросу о механизме пробоя $p{-}n$-переходов на основе твердых растворов GaAs$_{1-x}$Sb$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  134–138