Кучинский Пётр Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  448–452
2. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  73–76
3. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  731–735
4. Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в $p$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1625–1628
5. О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  634–637
6. Емкостная спектроскопия радиационных ловушек неосновных носителей в $n$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1471–1473
7. Образование и термическая стабильность радиационных дефектов в $p$-кремнии, облученном альфа-частицами
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1055–1059
8. Инжекционный отжиг радиационных дефектов в $p$-кремнии, вводимых в электрическом поле при ${78\div330}$ K
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  740–742
9. О возможности идентификации дефектов в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  532–534
10. Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  309–311
11. О распределении дефектов при облучении кремния неколлимированным пучком альфа-частиц
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2066–2068