Петрунин А П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  448–452
2. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  73–76
3. Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой $\sim 100$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990),  731–735
4. Инжекционная, электрополевая и термическая перестройка радиационных дефектов в $p$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1625–1628
5. Инжекционный отжиг радиационных дефектов в $p$-кремнии, вводимых в электрическом поле при ${78\div330}$ K
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  740–742
6. О возможности идентификации дефектов в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  532–534
7. Влияние сильного электрического поля на скорость введения и пространственное распределение радиационных дефектов в кремнии
   
   Письма в ЖТФ, 11:5 (1985),  309–311
8. О распределении дефектов при облучении кремния неколлимированным пучком альфа-частиц
   
   ЖТФ, 54:10 (1984),  2066–2068