Лукьяница В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние предварительной термообработки на эффективность образования радиационных дефектов в бездислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992),  1509–1511
2. Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1721–1725
3. Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном $p$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1894–1897
4. Процессы комплексообразования в кремнии при изменении температуры облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  742–744
5. Природа и параметры примесно-дефектных скоплений в нейтронно-легированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2014–2017
6. Влияние интенсивности облучения на скорость аннигиляции вакансий и междоузлий в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  345–347
7. Природа дефектов и особенности их образования при облучении нейтронно-легированного кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1601–1603
8. Взаимодействие дефектов вакансионного и междоузельного типов при отжиге облученного $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  166–168