|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Об особенности отжига радиационных дефектов в нейтронно-легированном
кремнии
Письма в ЖТФ, 18:24 (1992), 44–48
-
Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных
центров в кремнии при электронном облучении
Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 523–528
-
О влиянии нового центра золота
на характеристики кремниевых диодов
Письма в ЖТФ, 17:24 (1991), 77–81
-
Влияние процесса радиационного дефектообразования на дифузионный
профиль распределения алюминия в кремнии при электронном облучении
Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1686–1689
-
Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном палладием
Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1177–1180
-
Исследование параметров уровней рения в кремнии методом
DLTS
Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1404–1407
-
Исследование влияния лазерного воздействия на свойства кремния,
легированного золотом
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 747–749
-
Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей
в ионно-имплантированных полупроводниках
Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 300–302
-
Влияние ионизирующего излучения на распад твердых растворов
Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984), 915–918
© , 2024