RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Воронина Тамара Ивановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия

    Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1612–1624
  2. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP

    Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1639–1645
  3. Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  283–286
  4. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  276–282
  5. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te

    Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078
  6. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  780–786
  7. Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне перехода металл–диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1230–1232
  8. Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи перехода металл–диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1129–1131
  9. Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами

    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  147–150
  10. Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108
  11. Исследование квантовых эффектов межэлектронного взаимодействия в легированных кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1025–1029
  12. Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода металл–диэлектрик

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  752–753
  13. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1676–1679
  14. Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121
  15. Аномальное магнитосопротивление в кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа при низких температурах

    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  731–734
  16. Экспериментальная проверка теории отрицательного магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой к проводимости

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1841–1844


© МИАН, 2024