Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов
$p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te
Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990), 1072–1078
-
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов
$p$-GaInSbAs
Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 98–103
-
Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне
перехода металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1230–1232
-
Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи
перехода металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1129–1131
-
Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов
в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода
металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 752–753
-
Прыжковая проводимость и топология проводящей примесной сетки
в кристаллах с изолирующими включениями
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1507–1509
© , 2024