|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне
перехода металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1230–1232
-
Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи
перехода металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988), 1129–1131
-
Исследование квантовых эффектов межэлектронного взаимодействия
в легированных кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1025–1029
-
Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов
в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода
металл–диэлектрик
Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 752–753
-
Прыжковая проводимость и топология проводящей примесной сетки
в кристаллах с изолирующими включениями
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1507–1509
-
О поправке Маки–Томпсона в легированных полупроводниках
с кулоновским взаимодействием электронов
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 743–745
-
Аномальное магнитосопротивление в кристаллах
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа
при низких температурах
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 731–734
-
Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием
гамма-облучения
Письма в ЖТФ, 10:14 (1984), 860–862
-
Экспериментальная проверка теории отрицательного
магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой
к проводимости
Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1841–1844
© , 2024