Лагунова Тамара Степановна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида индия
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1612–1624
2. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
   
   Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1639–1645
3. Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  283–286
4. Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  276–282
5. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078
6. Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs
   
   Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  98–103
7. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  780–786
8. Эффект Холла в $p$-GaAs$\langle\text{Mn}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1387–1390
9. Примесная проводимость в $n$-GaAs и $n$-InP на металлической стороне перехода металл–диэлектрик
   
   Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1230–1232
10. Релаксация фазы и локализация электронов в $n$-GaAs и $n$-InP вблизи перехода металл–диэлектрик
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1129–1131
11. Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  147–150
12. Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108
13. Исследование квантовых эффектов межэлектронного взаимодействия в легированных кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1025–1029
14. Отрицательное магнитосопротивление и локализация электронов в полупроводниках с простой изотропной зоной в области перехода металл–диэлектрик
    
    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  752–753
15. Прыжковая проводимость и топология проводящей примесной сетки в кристаллах с изолирующими включениями
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1507–1509
16. Подвижность неравновесных электронов в кристаллах GaAs $p$-типа
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  118–122
17. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа со скоплениями акцепторов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1624–1628
18. Пространственное распределение электрически активных центров в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1593–1596
19. О поправке Маки–Томпсона в легированных полупроводниках с кулоновским взаимодействием электронов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  743–745
20. Аномальное магнитосопротивление в кристаллах A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ $p$-типа при низких температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984),  731–734
21. Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием гамма-облучения
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  860–862
22. Экспериментальная проверка теории отрицательного магнитосопротивления, связанного с квантовой локализационной поправкой к проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1841–1844