Слепнев Ю В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1521–1528
2. Резонансное туннелирование электронов в двухбарьерной структуре на основе GaAs$-$AlAs
   
   Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  12–15
3. Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной гетероструктурой
   
   Письма в ЖТФ, 16:20 (1990),  76–78
4. Новая эпитаксиальная структура для арсенид-галлиевых приборов на подложках кремния
   
   Письма в ЖТФ, 16:11 (1990),  48–52
5. Особенности электрофизических и структурных свойств изолирующих слоев в системе GaAs$-$AlAs, полученных МОС гидридным методом
   
   ЖТФ, 56:11 (1986),  2245–2247
6. Влияние состава на электрофизические свойства изолирующих слоев Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, полученных МОС гидридным методом
   
   Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1565–1571
7. Захват носителей в структурах изолятор–полупроводник, полученных МОС гидридным методом в системе GaAs$-$AlAs
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  757–759
8. Полевой транзистор с изолированным затвором
   
   Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  420–422