Шуша В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  176–180
2. Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  885–887
3. Особенности отжига рекомбинационных центров в нейтронно легированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1974–1977
4. Особенности накопления радиационных дефектов в высокоомном $p$-кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1894–1897
5. Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно легированном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  964–967
6. Рекомбинационная активность дислокаций в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  767–770