Коломоец В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Переход металл$-$диэлектрик в $n$-Si$\langle$P, Sb$\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  179–180
2. Переход от металлической проводимости к активационной в одноосно деформированном $n$-$\text{Ge}\langle\text{Sb}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2244–2245
3. Влияние сильных одноосных упругих деформаций на проводимость по примесной зоне в $n$-Ge$\langle$Sb$\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1477–1479
4. Анизотропия подвижности и деформационные потенциалы валентной зоны германия при сильной одноосной деформации
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2112–2115
5. Механизмы тензоэффектов в $n$-Ge в области смешанной проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1902–1904
6. Пьезосопротивление, связанное с искривлениями энергетического рельефа дна зоны проводимости кристаллов $n$-Si, упруго деформированных в направлении $\langle111\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  770–773
7. Механизмы пьезосопротивления в сильно легированных кристаллах $n$-Ge при 4.2 K
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1898–1899
8. Пьезосопротивление и эффект Холла сильно легированных кристаллов $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1768–1770
9. Пьезосопротивление вырожденных кристаллов $n$-Si вдоль и поперек оси деформации
   
   Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1411–1413
10. Разогрев электронов в $L$- и $X$-долинах $n$-Ge
    
    Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1677–1678
11. Энергия ионизации примесных уровней Sb в Ge, связанных с долинами $\langle100\rangle$ $c$-зоны
    
    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  370–371