Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Светодиоды на основе InAsSbP
для анализа окислов углерода
Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 75–79
-
Температурная зависимость люминесценции арсенида индия и твердых
растворов InAsSbP и InGaAs
Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 592–596
-
Низкопороговые лазеры
$3{-}3.5$ мкм
на основе ДГС InAsSbP/In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$
Письма в ЖТФ, 15:15 (1989), 49–52
-
Инжекционное когерентное излучение в ДГС $In\,As\,Sb\,P/In\,As/In\,As\,Sb\,P$
Письма в ЖТФ, 13:9 (1987), 563–565
-
Температурная зависимость параметров стимулированного излучения в Р-П структурах на основе $In\,As_{1-x}\,Sb_{x}$
Письма в ЖТФ, 13:6 (1987), 329–331
© , 2024