Грессеров Б Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при термообработке
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1938–1944
2. Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими уровнями
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1324–1331
3. Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  807–812
4. Оценка роли электронно-дырочного рассеяния в переносе носителей заряда в многослойных арсенид-галлиевых структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1668–1670
5. Высоковольтные лавинные диодные структуры большой площади
   
   ЖТФ, 59:10 (1989),  154–156
6. О соотношении подвижностей носителей заряда в полупроводниках $n$- и $p$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1658–1663
7. Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой $p{-}n$-переходов
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  536–538
8. О влиянии эффекта полного увлечения неосновных носителей заряда основными на свойства многослойных полупроводниковых структур
   
   ЖТФ, 56:9 (1986),  1827–1829