|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Неоднородные процессы инжекции и теплопереноса в реверсивно-включаемых динисторах при работе в частотно-импульсных режимах с ограниченным теплоотводом
Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 533–539
-
Перераспределение токов и тепловых потерь в реверсивно-включаемом динисторе при наличии поперечного перепада температуры
Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 57–60
-
Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска
Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 835–843
-
Влияние инжекционной способности анодного эмиттера на характеристики комбинированных СИТ–МОП транзисторов
Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 973–978
-
Термогенерационный пробой канала двойной инжекции в полупроводниковой
структуре
ЖТФ, 61:6 (1991), 83–92
-
Динамический перегрев реверсивно включаемых динисторов
ЖТФ, 60:5 (1990), 129–135
-
Механизм пространственно-периодического расслоения тока в тиристоре
Письма в ЖТФ, 16:13 (1990), 89–93
-
Пространственно-периодическое разрушение тиристора в режиме
динамической перегрузки
Письма в ЖТФ, 15:6 (1989), 42–45
-
О влиянии электродинамических эффектов на однородность
коммутационных процессов в быстродействующих полупроводниковых приборах
большой мощности
ЖТФ, 56:9 (1986), 1860–1861
-
Влияние гидростатического сжатия на время жизни неравновесных носителей заряда в кремнии
Письма в ЖТФ, 11:21 (1985), 1288–1293
-
Мощный переключатель микросекундного диапазона —
реверсивно-включаемый динистор
ЖТФ, 53:9 (1983), 1822–1826
-
Транзисторный эффект в двухполюсной $n^{+}pNn^{+}$-структуре при ее
импульсном инжекционном возбуждении
Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1271–1275
-
Инжекционно-лавинный механизм запуска реверсивно-включаемых
динисторов в субмикросекундном диапазоне
Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1217–1221
-
Новый быстродействующий мощный переключатель — инжекционно-полевой
тиристор (ИПТ)
Письма в ЖТФ, 9:1 (1983), 18–21
© , 2024