Райхштейн В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  44–48
2. Новый метод исследования микронеоднородности локальных центров в высокоомных полупроводниковых материалах с использованием РЭМ
   
   Письма в ЖТФ, 13:7 (1987),  385–388
3. Об определении параметров глубоких центров в высокоомных полупроводниках методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии глубоких уровней (ФЭРСГУ)
   
   Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1428–1432
4. Поглощение квантов с энергией, меньшей оптической энергии ионизации примеси в фосфиде индия, легированном марганцем
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1763–1767
5. Новый тип примесных дефектов в полуизолирующем арсениде галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1363–1366