|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых
растворов GaSb$-$InAs
Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1397–1406
-
Неохлаждаемые фотодиоды на основе
InAs/InAsSbP для спектрального диапазона
2$-$3.5 мкм
Письма в ЖТФ, 16:4 (1990), 27–32
-
Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль
в рассеянии дырок в $p$-GaSb
Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989), 780–786
-
Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка в кристаллах
$n$-ZnSe в умеренно сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 240–243
-
Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$
Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 459–464
-
Прыжковая проводимость и топология проводящей примесной сетки
в кристаллах с изолирующими включениями
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1507–1509
-
Полевое гашение поверхностной проводимости и двумерная прыжковая
проводимость в $p$-InAs
Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 422–425
© , 2024