Рамм М Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Легирование азотом эпитаксиальных слоев SiC при росте сублимационным «сэндвич$-$методом» в вакууме
   
   Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  33–37
2. Инжекционно-пролетная структура на основе карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  43–46
3. Электрические свойства структуры $p{-}n{-}n^{+}$ в карбиде кремния, полученной ионным легированием алюминия
   
   Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1685–1689
4. Возникновение структурных нарушений в эпитаксиальных слоях карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  641–645
5. Влияние условий роста на термическую стабильность дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в нейтронно-облученном $6H$-SiC
   
   Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2153–2158
6. Возникновение дефектной люминесценции со спектром $D_{1}$ в $6H$-SiC при генерации избыточных углеродных вакансий
   
   Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1433–1437