|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Изменение электронных свойств системы
Si$-$SiO$_{2}$ при лазерном облучении
Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1399–1404
-
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия
при лазерном возбуждении
Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 763–766
-
Поперечный фотовольтаический эффект в кремнии, обусловленный
междолинным диффузионным перезаселением электронов
при лазерном возбуждении
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 806–810
-
Распределение дефектов, образованных лазерным излучением в монокристаллах CdS
Физика твердого тела, 27:3 (1985), 767–771
-
Поперечная фотоэдс, возникающая в германии при экстремальных уровнях
лазерного возбуждения
Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 864–868
-
Кинетика образования дефектов и испарения твердого тела под действием лазерного излучения
Физика твердого тела, 26:9 (1984), 2742–2748
-
Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий
при лазерном
возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной
зоны полупроводника
Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1772–1777
© , 2024