Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Ускоренная диффузия индия в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te под воздействием
облучения ионами при
${T=300}$ K
Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988), 2226–2228
-
Электрофизические свойства кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
(${x=0.3}$), облученных ионами H$^{+}$
Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1907–1910
-
Аннигиляция позитронов в облученных электронами кристаллах HgTe
и Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te (${x=0.2}$)
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 815–817
-
Особенности поведения кристаллов Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, облученных
электронами, при различных температурных обработках
Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1876–1879
© , 2024