|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Совместная имплантация в полуизолирующий арсенид галлия электрически
активной и изовалентной примесей
Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1355–1360
-
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом
и кремнием
Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1857–1861
-
Особенности разупорядочения GaAs при ионной имплантации азота
Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989), 1093–1095
-
Фотоэлектрические и оптические свойства пленок $a$-Si : H
с имплантированными ионами фосфора и бора
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 818–821
-
Влияние ионной имплантации никеля на оптическое поглощение и краевую
фотолюминесценцию $a$-Si : H
Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1441–1446
-
Оптические свойства и структура пленок $a$-Si,
свободных
от подложки
Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2138–2141
-
Анизотропия дрейфовой подвижности дырок в монокристаллическом GeS
Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2631–2635
-
О XX Международной конференции по физике полупроводников
Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1263–1273
© , 2024