Витовский Николай Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. О природе $K$-центра в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2186–2190
2. Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1816–1822
3. Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
   
   Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1213–1215
4. Зависимость эффективности аннигиляции гомогенных пар Френкеля в кристаллах от интенсивности облучения
   
   Физика твердого тела, 31:3 (1989),  306–308
5. Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2066–2069
6. Скопление точечных дефектов и их влияние на рассеяние носителей заряда в полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1395–1399
7. Скопления атомов меди в германии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  911–914
8. Скорость введения и профиль концентрации $A$-центров в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  753–756
9. Эффективность образования точечных дефектов в $n$- и $p$-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  425–428
10. Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
    
    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  184–185
11. Эффективность взаимодействия вакансий с донорами V группы в $n$-германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988),  1483–1486
12. Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
    
    Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1316–1318
13. Основные характеристики пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  924–926
14. Время жизни свободных вакансий и собственных межузельных атомов в $n$-германии при электронном и гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1826–1831
15. Энергетический спектр и процессы миграции компонентов пары Френкеля в германии
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  145–149
16. Ионизационно-стимулированный отжиг пар Френкеля в германии и кремнии в условиях электронного и гамма-облучения при гелиевых температурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  840–843
17. Кинетика изменения концентрации пар Френкеля в полупроводниках при низкотемпературном облучении и ионизационном отжиге
    
    Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1263–1268
18. Взаимодействие точечных собственных дефектов в фосфиде индия $n$-типа со скоплениями акцепторов
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1624–1628
19. Пространственное распределение электрически активных центров в $n$-арсениде галлия и его изменения при гамма-облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1593–1596
20. Рост скоплений компенсирующих центров в полупроводниках под действием гамма-облучения
    
    Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  860–862
21. О распределении пар Френкеля, возникающих в германии при облучении, по расстояниям между их компонентами
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1985–1990
22. Скопления электрически активных центров в термообработанном кремнии, выращенном по методу Чохральского
    
    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1979–1984
23. Проявление примесного ионизационного механизма (ПИМ) образования дефектов в антимониде индия при «надпороговом» облучении
    
    Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983),  521–523