Аникин М М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  479–486
2. Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$
   
   Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333
3. Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами
   
   Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1384–1390
4. Разновидность неклассического термоинжекционного тока в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1813–1818
5. Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых $p{-}n$-структурах
   
   Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  647–651
6. SiC-6H полевой транзистор с рекордной для карбидкремниевых транзисторов крутизной
   
   Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  36–42
7. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах
   
   Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579
8. Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300
9. Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136
10. Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах
    
    Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547
11. Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального $4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2169–2172
12. Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой
    
    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657
13. Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848
14. Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  114–117
15. Выпрямительный диод на основе карбида кремния
    
    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1053–1056