|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых
транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1574–1579
-
Управление вольт-амперными характеристиками трех связанных
резонансно-туннельных диодов
Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 896–899
-
Горячие электроны в гетероструктурах с селективным
легированием (обзор)
Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1353–1363
-
Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием
в сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 881–885
-
Дрейфовая скорость электронов в Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As
в сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985), 446–448
-
Сложение мощностей диодов Ганна в открытом СВЧ резонаторе
Письма в ЖТФ, 10:6 (1984), 367–370
-
Некоторые особенности лавинного пробоя $p{-}n$ переходов в карбиде
кремния
Письма в ЖТФ, 10:4 (1984), 215–219
-
Лавинно-пролетный диод и его применение в технике СВЧ
УФН, 90:4 (1966), 631–666
© , 2024