Урманов Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Немонотонная изотермическая релаксация тока в $n{-}\pi{-}p$-структуре, связанная с инверсией электрического поля
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1671–1674
2. Анализ температурной зависимости импеданса диода с неоднородной базой из перекомпенсированного полупроводника
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1669–1671
3. Релаксация емкости в $n{-}\pi{-}p$-переходе с произвольным уровнем легирования $n$- и $p$-областей
   
   Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992),  1635–1642
4. Релаксационная ТООЗ спектроскопия радиационных дефектов в кремнии, облученном нейтронами
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  897–902
5. О полевом гашении остаточной проводимости
   
   Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1900–1901
6. Релаксация тока в $n{-}\nu{-}n$-структурах на основе компенсированного кремния, связанная с нарушением нейтральности
   
   Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  759–762