RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Якимов Е Б

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  550–553
  2. Влияние никеля и меди, введенных при комнатной температуре, на рекомбинационные свойства протяженных дефектов в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  433–436
  3. Терморезистивный полупроводниковый SiC/Si-композиционный материал

    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  231–234
  4. Моделирование параметров бетавольтаического элемента на основе тритида титана

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  101–103
  5. Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен

    Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  59–64
  6. Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии

    Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  266–271
  7. Сравнительное исследование спектральных и структурных характеристик микрокристаллов EuAl$_{3}$(BO$_{3}$)$_{4}$ разной морфологии

    Физика твердого тела, 59:12 (2017),  2396–2402
  8. Физические свойства пленок углерода, полученных при пиролизе метана в электрическом поле

    ЖТФ, 86:3 (2016),  110–113
  9. Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под воздействием электронного пучка

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1351–1355
  10. Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1687–1688
  11. Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом

    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  922–924
  12. Влияние отжига на электронно-микроскопическое изображение и спектр DLTS дислокаций в деформированном кремнии

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  907–910
  13. Влияние водорода на концентрацию центров с глубокими уровнями в кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  915–916
  14. Электрические свойства суперионного проводника RbAg$_{4}$I$_{5}$, легированного сульфидом серебра

    Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3672–3673
  15. Исследование электрических свойств плотных дислокационных рядов

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1313–1315


© МИАН, 2024