Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием,
в сильных электрических полях
Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 910–913
-
Исследование влияния несоответствия параметров решеток эпитаксиальных
слоев на люминесцентные свойства гетероструктур InGaAsP/InP,
излучающих на длине волны ${\lambda=1.5}$ мкм
Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985), 601–607
-
Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе
InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией
ЖТФ, 53:7 (1983), 1413–1414
© , 2024