RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Рембеза С И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Аморфные пленки тройных оксидов цинка и олова для прозрачной электроники

    Письма в ЖТФ, 44:21 (2018),  73–80
  2. Исследование процессов плавления и кристаллизации ионно-имплантированного сурьмой кремния, подвергнутого действию мощного некогерентного излучения

    ЖТФ, 60:12 (1990),  131–134
  3. Локальное поверхностное плавление ионно-имплантированного кремния

    ЖТФ, 59:11 (1989),  181–183
  4. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия

    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899
  5. Управление периодом поверхностного рельефа конденсированных сред

    Письма в ЖТФ, 15:14 (1989),  48–52
  6. Формирование поверхностных периодических структур под действием некогерентного излучения

    Письма в ЖТФ, 15:10 (1989),  55–59
  7. Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости $n\text{-GaP}\langle\text{Ni}\rangle$

    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  485–488
  8. Наблюдение электронно-механического резонанса на глубоких уровнях в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами железа

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1335–1336
  9. Диэлектрическая релаксация, связанная с глубокими уровнями в высокоомных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2230–2233
  10. Внутреннее трение в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$, имплантированных ионами бора

    Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  913–915
  11. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках

    Физика твердого тела, 27:7 (1985),  2081–2085
  12. Внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2228–2229
  13. Многофононное поглощение света глубокими заряженными примесными центрами

    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2787–2789
  14. Состояние примесных атомов Сr и Со в GaP

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1149–1151

© МИАН, 2024