Гайдар Г П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него
   
   Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017),  975–980
2. Особенности электрофизических параметров НТЛ-Si при разных режимах термообработки
   
   Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  751–756
3. Влияние термоотжига и $\gamma$-облучения на изменение удельного сопротивления $n$-германия в магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2109–2111
4. Концентрационная зависимость параметра анизотропии термоэдс увлечения в $n$-германии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1137–1139
5. Определение сдвиговой константы деформационного потенциала $\Theta_{u}$ в трансмутационно-легированных кристаллах кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1107–1109
6. Возможность трансмутационного легирования кремния посредством протонного облучения
   
   Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  960–962