RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Колковский И И
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Рекомбинация носителей заряда в термообработанном Si с различными типами ростовых микродефектов
Физика и техника полупроводников
,
26
:1 (1992),
176–180
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного
$n$
-Si
Физика и техника полупроводников
,
23
:5 (1989),
885–887
Особенности отжига рекомбинационных центров в нейтронно легированном кремнии
Физика и техника полупроводников
,
21
:11 (1987),
1974–1977
Рекомбинационные свойства радиационных дефектов в трансмутационно легированном кремнии
Физика и техника полупроводников
,
20
:5 (1986),
964–967
©
МИАН
, 2024