Смольский О В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Получение Y$-$Ba$-$Cu$-$O ВТСП-пленок на Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 18:20 (1992),  85–89
2. Эволюция формы (00)-рефлекса картины ДОБЭ на начальных стадиях МПЭ GaAs (001)
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  41–46
3. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия
   
   Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
4. Комбинационное рассеяние света в кристаллах арсенида галлия, подвергнутых воздействию субнаносекундных лазерных импульсов
   
   Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  252–256
5. Динамика коэффициента отражения кристаллических $Si$ и $Ga\,As$ при воздействии пикосекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 11:12 (1985),  761–765
6. Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 11:11 (1985),  669–671
7. Техника стоячих рентгеновских волн в исследовании лазерной амортизации арсенида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1402–1405
8. Образование слоистой структуры в ионно-имплантированном GaAs под действием одиночного субнаносекундного лазерного импульса
   
   Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1281–1286
9. Новый фазовый переход в SiC и GaAs под действием пикосекундных лазерных импульсов
   
   Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1373–1376
10. О возможностях метода фотолюминесценции в исследовании лазерной аморфизации арсенида галлия
    
    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1298–1301
11. Аморфизация монокристаллического арсенида галлия под действием пикосекундных световых импульсов
    
    Письма в ЖТФ, 9:15 (1983),  897–900
12. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига
    
    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853