Рехвиашвили Д Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диоды Ганна на основе гетероструктуры $n$-InGaAs$/n^{+}$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  611–613
2. In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  908–912
3. Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  47–50
4. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
   
   Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
5. Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области диодных InGaAsP/InP-структур
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1498–1501
6. ИК поглощение арсенида галлия, облученного при температуре 77 K
   
   Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  930–932
7. Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала
   
   Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1059–1062