Степанова М Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Экранирование поля в $p{-}i{-}n$-структурах на основе арсенида галлия при приложении напряжения обедняющей полярности
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  710–718
2. Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1689–1691
3. Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065
4. Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899
5. Формирование высоковольтных перепадов напряжения пикосекундного диапазона на арсенидгалиевых диодах
   
   Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1089–1093
6. Подвижность неравновесных электронов в кристаллах GaAs $p$-типа
   
   Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  118–122
7. Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом
   
   ЖТФ, 54:4 (1984),  859–862
8. Исследование обратной ветви ВАХ высоковольтных $p{-}n$-структур на основе GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2029–2035
9. Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда
   
   Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385
10. Элемент оптической памяти и оптический усилитель, работающий за счет эффекта Франца–Келдыша
    
    Письма в ЖТФ, 10:8 (1984),  472–475
11. Спиновая релаксация электронов проводимости в умеренно легированных кристаллах GaAs
    
    Физика твердого тела, 25:12 (1983),  3537–3542
12. Оптическая бистабильность за счет эффекта Франца–Келдыша при работе с некогерентным неполяризованным светом
    
    Письма в ЖТФ, 9:10 (1983),  604–609