Кудзин А Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Критическое уширение линий ЭПР в кристаллах Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$ : Mn$^{2+}$ вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода
   
   Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1746–1752
2. Аппроксимация экспериментальных ВАХ кристаллов Bi$_{12}$SiO$_{20}$ с помощью аналитических приближений теории ТОПЗ
   
   Физика твердого тела, 34:2 (1992),  461–466
3. Фотопроводимость теллурита висмута
   
   Физика твердого тела, 34:1 (1992),  319–321
4. Диэлектрические свойства кристалллов в системе Li$_{2-x}$Na$_{x}$(Ge$_{4}$O$_{9}$)
   
   Физика твердого тела, 34:1 (1992),  309–311
5. Применение метода внутреннего трения для исследования дефектов в легированных Cr и Al монокристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$
   
   Физика твердого тела, 34:1 (1992),  225–231
6. Процессы переполяризации кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$ с примесями
   
   Физика твердого тела, 33:12 (1991),  3609–3611
7. Стимулированная проводимость и оптическое поглощение в кристаллах ниобата лития
   
   Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2465–2467
8. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$ : Cr
   
   Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2228–2230
9. Сегнетоэлектричество в кристаллах Li$_{2}$Ge$_{4}$O$_{9}$
   
   Физика твердого тела, 33:6 (1991),  1903–1906
10. Влияние стимуляции электрическим полем на оптические и фотоэлектрические свойства Bi$_{12}$SiO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  981–984
11. Прыжковая проводимость в кристаллах NaBi(MoO$_{4})_{2}$
    
    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  751–754
12. Сегнетоэлектрические свойства монокристаллов LiNaGe$_{4}$O$_{9}$
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3160–3163
13. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$ : Ti
    
    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3134–3136
14. Исследование внутреннего трения в кристаллах Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1554–1556
15. Переполяризация кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 32:5 (1990),  1525–1527
16. Электрические свойства монокристаллов натрий-висмутового титаната
    
    Физика твердого тела, 31:3 (1989),  325–327
17. Кинетика электролюминесценции PbMg$_{1/3}$Nb$_{2/3}$O$_{3}$ в синусоидальных электрических полях в области размытого фазового перехода
    
    Физика твердого тела, 31:2 (1989),  123–127
18. Исследование диэлектрических свойств кристаллов (Li$_{1-x}$Na$_{x}$)$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 30:12 (1988),  3715–3717
19. Уменьшение оптического поглощения кристаллов Bi$_{12}$GeO$_{20}$ при стимуляции электрическим полем
    
    Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1864–1865
20. Диэлектрические свойства кристаллов Li$_{2}($Ge$_{1-x}$Si$_{x})_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1520–1523
21. Подвижность носителей заряда в кристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$ в состоянии стимулированной проводимости
    
    Физика твердого тела, 30:1 (1988),  266–267
22. Особенности диэлектрических свойств кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$ вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода
    
    Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3471–3474
23. Пьезоэлектрические свойства кристаллов Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 29:10 (1987),  3123–3125
24. Внутреннее трение в монокристаллах Bi$_{12}$GeO$_{20}$ и Bi$_{12}$SiO$_{20}$, связанное с электронным состоянием
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  228–230
25. Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в Li$_{2}$Ge$_{7}$O$_{15}$
    
    Физика твердого тела, 29:1 (1987),  213–215
26. Новые эффекты кристаллизации расплава селена
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1120–1124
27. Пик внутреннего трения, связанный с состоянием проводимости Bi$_{12}$GeO$_{20}$
    
    Физика твердого тела, 26:3 (1984),  928–929
28. Аномалии электрических параметров при фазовых переходах в кристаллах теллурита стронция
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  594–596
29. Фотопроводимость монокристаллов германо- и силикосилленита
    
    Физика твердого тела, 26:2 (1984),  485–489