Тулашвили Э В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью
   
   Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  205–209
2. Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область 0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)
   
   Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  162–165