Шек Елена Ильинична

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  928–931
2. Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
   
   Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  580–584
3. Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  437–440
4. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  165–168
5. Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия
   
   Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  161–164
6. Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота
   
   Письма в ЖТФ, 44:18 (2018),  24–30
7. Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs
   
   Письма в ЖТФ, 44:13 (2018),  44–50
8. Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1182–1184
9. Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора
   
   Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  14–20
10. Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
    
    Физика твердого тела, 58:12 (2016),  2411–2414
11. Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  254–258
12. Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  250–253
13. Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре
    
    Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  241–244
14. Исследование кремния методами диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей
    
    Физика твердого тела, 34:8 (1992),  2548–2554
15. Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного кремния в хлорсодержащей атмосфере
    
    ЖТФ, 55:7 (1985),  1457–1459