Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717
-
Рост наноструктур в системе Ga(In)AsP–GaAs в квазиравновесных условиях
Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1244–1249
-
Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 89–92
-
Формирование $p$-эмиттера с участием сурфактантов в GaAs фотоэлектрических преобразователях
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 699–703
-
Модификация поверхности GaAs и наблюдение эффекта гигантского рамановского рассеяния после диффузии индия
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 611–614
-
Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP
ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569
© , 2024