|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние разогрева активной области на динамические и мощностные характеристики квантовых каскадных лазеров, излучающих на длине волны 4.8 $\mu$m при комнатной температуре
Оптика и спектроскопия, 127:3 (2019), 445–448
-
Полосковая структура для изорешеточных квантовых каскадных лазеров
Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1499–1502
-
Изготовление и исследование изорешеточной гетероструктуры для квантовых каскадных лазеров
Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 812–815
-
Исследование модифицированной структуры квантового каскадного лазера
Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 133–137
-
Квантовые каскадные лазеры с длиной волны излучения 4.8 $\mu$m, работающие при комнатной температуре
Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 17–23
-
Исследование $pin$-фотодиодов на основе
InGaAsP/InP
ЖТФ, 55:8 (1985), 1566–1569
-
Наблюдение спектров фотовозбуждения мелких доноров и циклотронного резонанса свободных электронов в $In\,P$, легированном $Cd$ и $Yb$
Письма в ЖТФ, 11:6 (1985), 347–351
-
Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости
в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1237–1241
-
Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных
жидкофазной эпитаксией
Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1230–1232
-
Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 83–85
© , 2024