|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373
-
Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона
Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248
-
Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника
Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201
-
Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки
Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861
-
Фотоэлектрические характеристики структур карбид кремния–кремний, выращенных методом замещения атомов в кристаллической решетке кремния
Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 651–658
-
Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm
Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 73–78
-
Влияние воздействия ультракоротких лазерных импульсов на электрофизические свойства карбида кремния
Письма в ЖТФ, 11:11 (1985), 669–671
-
Катодолюминесценция SiC, ионно-легированного Al и Ar
Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 700–703
© , 2024